Nyheder

Efterhånden som 5G-kommunikationsteknologi hurtigt udvikler sig mod sub - 6GHz og millimeterbølgebånd, har effekttætheden af ​​basisstationens effe...

Plasmaætsnings- og renseprocesser er kernetrin i halvlederfremstilling. Efterhånden som procesknudepunkter avancerer til 7 nm, 5 nm og derover, for...

Med den hurtige udvikling af 5G-kommunikation, satellitinternet og autonom køreteknologi har Millimetre-Wave (MMWAVE) højfrekvent signaloverførsel ...

Det er netop fordi substrater fremstillet af avancerede keramiske materialer har en ydeevne, der er uopnåelig af traditionelle printkort (PCB'er), ...

For nylig har de indenlandske materialevidenskabs- og teknologis virksomheder med succes udviklet en ny type siliciumcarbidkeramisk materiale med r...

Som et tredje-generations halvledermateriale besidder siliciumcarbid (SiC) unikke egenskaber. SiC har et bredt båndgab, høj termisk ledningsevne, h...

Siliciumcarbidkeramik i Superior Ceramics Times Technology Co ., Ltd er strukturel keramik med høj temperatur med fremragende ydelse, med høj styrk...

Brusehovedet (også kendt som gasfordelingsplade eller gashomogeniseringsplade) i halvlederfremstillingsudstyr tjener som "gasfordelingshjertet" i k...

Siliciumcarbid (SIC) er en højtydende strukturel keramik for forhøjede temperaturer, kendt for sine ekstraordinære egenskaber, herunder høj styrke,...

Siliciumcarbid (SiC) krystalmateriale er en repræsentativ tredjegenerations-halvleder. Sammenlignet med første-generations elementære halvledere og...

"Chokepoint" -teknologierne i Kinas halvlederindustri repræsenterer en afgørende flaskehals, der skal overvindes for at opnå teknologisk selvforsyning

Siliciumcarbid (SiC)-substrater kan bruges til at forberede strømenheder, RF-enheder og detektionsenheder, der modstår høje temperaturer, høje spæn...